Высокоэффективный светодиод InGaN Red Micro на кремнии

Компания ALLOS Semiconductors объявила о сотрудничестве с профессором Окавой и его командой из Университета науки и технологий им. Короля Абдуллы (KAUST) для реализации высокоэффективных красных светодиодов на основе нитридов на кремниевых подложках большого диаметра.

Сотрудничество будет сосредоточено на решении фундаментальных проблем, таких как большое рассогласование решеток и квантово-ограниченный эффект Штарка (QCSE), которые ограничивают использование светодиодов на основе красных нитридов для практического использования в промышленности. В частности, для развивающейся области дисплеев Micro LED существует большой спрос на включение красных светодиодов на пластинах большого диаметра в дополнение к уже установленным светодиодам синего и зеленого цветов в нитридной системе, чтобы снизить сложность производства и стоимость.

Команда KAUST под руководством Окавы добилась нескольких прорывов в создании красных микросветодиодов на основе InGaN с низким прямым напряжением менее 2,5 В и высокой эффективностью за счет использования компенсации локальной деформации и модифицированной конструкции реактора MOCVD. Исследователи уже выращивали красные светодиоды на подложках из сапфира и Ga2O3. Для потенциально более эффективных красных светодиодов с помощью инженерии деформации на уровне пластин - в частности, для пластин большого диаметра - команда теперь расширяет свою работу на кремниевые подложки вместе с ALLOS. Партнерство ускорит массовое производство за счет масштабируемости до 300 мм и технологичности на производственных линиях кремния. Для дисплеев Micro LED, особенно для монолитно интегрированных микродисплеев для приложений AR, это еще один важный фактор.

Обе стороны будут использовать свой опыт, чтобы справиться с напряжением и оптимизировать условия роста кристаллов для GaN-на-Si и красных светодиодов с целью выращивания красных светодиодов поверх буферных слоев GaN-на-Si.